晶体晶体检测报告如何办理？检测项目及标准有哪些？百检第三方检测机构，严格按照晶体晶体检测相关标准进行测试和评估。做检测，找百检。我们只做真实检测。

涉及晶体 晶体的标准有215条。

国际标准分类中，晶体 晶体涉及到医疗设备、半导体分立器件、光电子学、激光设备、集成电路、微电子学、电学、磁学、电和磁的测量、金属材料试验、无机化学、分析化学、音频、视频和视听工程、光纤通信、无线通信、阀门。

在中国标准分类中，晶体 晶体涉及到放大镜与显微镜、半导体光敏器件、半导体三极管、医用光学仪器设备与内窥镜、半导体集成电路、电子测量与仪器综合、半导体分立器件综合、金属物理性能试验方法、眼科与耳鼻咽喉科手术器械、工业技术玻璃、半导体二极管、光通信设备、广播、电视发送与接收设备、阀门。

SE-SIS，关于晶体 晶体的标准

SIS SS CECC 20003-1988空白详细规范：光电晶体管；光电晶体管达林顿电路晶体管；光电晶体管阵列

美国国家标准学会，关于晶体 晶体的标准

ANSI Z80.13-2007晶体眼人工晶体植入术

欧洲电工电子元器件标准，关于晶体 晶体的标准

EN 120003:1992空白详细规范:光电晶体管、光电复合晶体管、光电晶体管阵列

CECC 90 102 ISSUE 2-1989系列标准:晶体管-晶体管逻辑电路肖脱基数字集成电路系列54S, 64S, 74S, 84S (En, Fr) 超微半导体 1 (En, Fr)

德国标准化学会，关于晶体 晶体的标准

DIN EN 120003:1996空白详细规范:光电晶体管、光电复合晶体管、光电晶体管阵列

DIN EN 120003:1996-11空白详细规范 - 光电晶体管、光电达林顿晶体管、光电晶体管阵列

DIN 52341:1993玻璃的试验.铅晶体玻璃和晶体玻璃的化学分析

DIN EN ISO 11979-7:2023-04眼科植入物 - 人工晶状体 - 第 7 部分：人工晶状体矫正无晶体眼的临床研究 (ISO/DIS 11979-7:2023)

DIN EN ISO 11979-10:2006眼科植入物.眼内透镜.第10部分:有晶体眼人工晶体植入术(ISO 11979-10:2006)

DIN EN ISO 11979-7:2018-08眼科植入物 人工晶状体 第7部分：用于矫正无晶状体的人工晶状体的临床研究

行业标准-医药，关于晶体 晶体的标准

YY 0290.10-2009眼科光学.人工晶状体.第10部分:有晶体眼人工晶状体

英国标准学会，关于晶体 晶体的标准

BS EN ISO 11979-7:2018眼科植入物 人工晶状体 人工晶状体矫正无晶体眼的临床研究

BS EN ISO 11979-10:2018跟踪更改 眼科植入物 人工晶状体 人工晶状体矫正有晶状体眼屈光不正的临床研究

BS EN 120003:1986电子元器件质量评定协调体系规范.空白详细规范.光电晶体管,光电复合晶体管,光电晶体管阵列

BS EN ISO 11979-10:2006眼科植入物.眼内透镜.晶体眼人工晶体植入术

BS EN 120003:1993电子元件质量评估协调制度规范 空白详细规范 光电晶体管、光电达林顿晶体管、光电晶体管阵列

23/30453001 DCBS EN ISO 11979-7 眼科植入物 人工晶状体 第 7 部分：人工晶状体矫正无晶体眼的临床研究

ES-UNE，关于晶体 晶体的标准

UNE-EN 120003:1992BDS：光电晶体管、光电卡林顿晶体管、光电晶体管阵列

UNE-EN ISO 11979-7:2018眼科植入物 人工晶状体 第7部分：用于矫正无晶状体的人工晶状体的临床研究

日本工业标准调查会，关于晶体 晶体的标准

JIS C 7311:1980有可靠性保证的晶体管-晶体管逻辑电路、"与非"门、集成电路

美国国防后勤局，关于晶体 晶体的标准

DLA SMD-5962-90798-1992硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双奇数发生器或校验器

DLA SMD-5962-85508 REV C-2005硅单块 多路复用器晶体管-晶体管逻辑电路双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86708 REV A-2007硅单块高速注册,肖特基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-86075 REV C-2007硅单块 移动装置,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-90889 REV C-2008微电路.单片硅晶体管-晶体管逻辑(TTL)兼容数字双极型四总线缓冲门

DLA SMD-5962-95584 REV C-2008微电路.电片硅数字双极晶体管-晶体管逻辑(TTL)同步4位加/减计数器

DLA SMD-5962-87595 REV B-2001硅单块 总线接收器高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-87711 REV A-2001硅单块 双单稳多谐振荡器,晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86069-1986硅单块 量值比较器,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-86710 REV B-2006硅单块 逻辑运算器肖特基晶体管-晶体管逻辑电路,高级数字微型电路

DLA SMD-5962-90781 REV B-2006硅单块 三态缓冲器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86872 REV B-2006硅单块 非与缓冲器,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-87517 REV B-2001硅单块 二进制计数器低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,数字微型电路

DLA SMD-5962-85126 REV C-2005硅单块 缓冲器低频率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-87560 REV F-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路到发射极耦合逻辑的翻译,数字微型电路

DLA SMD-5962-87508 REV E-2006硅单块 发射极耦合逻辑到晶体管-晶体管逻辑电路的翻译,数字微型电路

DLA SMD-5962-91586 REV B-2006硅单块 10-4线优先编码器,小功率肖特基晶体管晶体管逻辑,数字微型电路

DLA SMD-5962-86836 REV C-2001硅单块 或门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86842 REV E-2006硅单块 和门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,数字微型电路

DLA SMD-5962-86071 REV C-2002硅单块 移位寄存器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-86074 REV C-2002硅单块 自动记录器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-91738 REV A-2005硅单块 八进制D型改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-87683 REV C-2006硅单块 译码器双极飞机(自动)着陆系统晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-86070 REV C-2006硅单块 8比特同一校验器,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-86833 REV C-2001硅单块 非与门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86843 REV C-2006硅单块 逆变器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,数字微型电路

DLA SMD-5962-86865 REV D-2006硅单块 非是门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86866 REV C-2006硅单块 译码器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-87533 REV B-2001硅单块 万能多路复用器,高级低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,数字微型电路

DLA SMD-5962-86072 REV D-2002硅单块 二进制计数器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-92046 REV A-2004硅单块 稳压器振动器,小功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86719 REV A-2007硅单块 D型自动记录机器低功率肖特基晶体管-晶体管逻辑电路数字微型电路

DLA SMD-5962-86838 REV C-2001硅单块 无门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86841 REV D-2006硅单块 和门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86844 REV D-2006硅单块 无门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86876 REV B-2007硅单块 升值或降值计数器,低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-99532 REV A-2007微型电路,数字型,双极,低功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路,10位计算器,单块硅

DLA SMD-5962-97593 REV B-2007微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,六路反向器,单块硅

DLA SMD-5962-07242-2008双通道线性数字单硅片微电路,带总线收发器,采用晶体管.晶体管逻辑输入/输出

DLA SMD-5962-85096 REV E-2005硅单块 多路复用器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-85097 REV F-2005硅单块 多路复用器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-91661-1993硅单块 四倍三向总线接收器,小功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86837 REV C-2006硅单块 非与门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86840 REV E-2005硅单块 计数器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86869 REV C-2006硅单块 多路复用器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA MIL-M-38510/314 C VALID NOTICE 1-2008单硅片数字微电路,为低功率肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带多个单稳态振动器

DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008线性单稳态单硅数字微电路,为低功率双极肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带两个场效应晶体管

DLA SMD-5962-91597-1993硅单块 三倍双向闩锁总线接收器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86881 REV B-2006硅单块 算术逻辑部件低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路 数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-97591 REV A-2007微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,8 位等值比较器,单块硅

DLA SMD-5962-85511 REV D-2005硅单块 带三态输出总线接收器晶体管-晶体管逻辑电路,高级肖脱基,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86717 REV D-2002硅单块 8比特转换自动记录机器晶体管-晶体管逻辑电路低功率肖特基数字微型电路

DLA SMD-5962-97581 REV A-2006微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,三路三输入正与门,单块硅

DLA SMD-5962-97588 REV A-2007微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,四路2输入正或门,单块硅

DLA SMD-5962-87697 REV C-2006硅单块 带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-91627 REV A-2004硅单块 四列二输入是非驱动器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-97584 REV B-2006微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路4输入正与非门,单块硅

DLA SMD-5962-88596 REV D-2008高级双极数字单硅片微电路,采用小功率肖特基晶体管-晶体管逻辑,带缓冲器/线路驱动器

DLA SMD-5962-87654 REV C-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-92090 REV A-2004硅单块 10比特缓冲器或行驱动线,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-90800 REV A-2004硅单块8比特逐步渐近自动记录器,低功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路双极数字微型电路

DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008单片硅高压集电极开路输出型配备缓冲器/驱动器的低功率晶体管晶体管逻辑数字式微电路

DLA DSCC-DWG-86001 REV F-2008*大1安60V DC CMOS和晶体管,晶体管逻辑(TTL)控制输入模拟信号切换的光学隔离气密固态继电器

DLA SMD-5962-86883 REV A-2003硅单块 方形2输入和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-91530 REV A-2006硅单块 六进制晶体管晶体管逻辑电路到发射极耦合逻辑的翻译器,发射极耦合逻辑,数字微型电路

DLA SMD-5962-91531 REV A-2004硅单块 六进制晶体管晶体管逻辑电路到发射极耦合逻辑的翻译器,发射极耦合逻辑,数字微型电路

DLA SMD-5962-87621 REV A-2005硅单块 带输入自动记录器8比特二进制计数器,低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极微型电路

DLA SMD-5962-92075 REV B-2006硅单块 68030/40发射极耦合逻辑或晶体管-晶体管逻辑电路钟驱动器,发射极耦合逻辑,数字微型电路

DLA SMD-5962-86870-1987硅单块 8比特直线外序列移位寄存器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-86871 REV D-2006硅单块 四倍2输入正面非与缓冲器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA DSCC-DWG-85019 REV E-20083比特的可编程活动延迟线,与16 PIN 及3比特的晶体管.晶体管逻辑电路兼容,并与发射器逻辑耦合

DLA SMD-5962-87698 REV A-2003硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-85504 REV D-2005硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的3到8阵列译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-86831 REV B-2007硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入方形2输入非与门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-86852 REV A-2003硅单块 方形双输入或带晶体管-晶体管逻辑电路数字输入门的高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-86867 REV D-2003硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制易识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-86890 REV C-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制施米特触发器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-90934 REV A-1999硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2门自动记录器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-90984 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双十进制波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-86834 REV B-2006硅单块 带三态输出的方形非倒转总线接收器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-97582 REV B-2006微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,3线到8线解码器/多用复解码器,单块硅

DLA SMD-5962-97583 REV B-2006微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路1/4数据选择器/多用选择器,单块硅

DLA SMD-5962-97589 REV A-2007微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,带三态输出的八路透明D型锁存器,单块硅

DLA SMD-5962-97590 REV A-2007微型电路,数字型,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,带三态输出的八路边沿触发D型触发器,单块硅

DLA SMD-5962-88625 REV C-2008高级双极数字单硅片微电路,采用四倍ALS肖肯特晶体管-晶体管逻辑,带1到2个数据选择器/多任务器

DLA SMD-5962-85130 REV C-2003硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-87554 REV E-2004硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双8选1译码器或多路分解器,互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90747 REV B-1995硅单块 八进制D型边沿触发的触发器,晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90710-1992硅单块 带三态输出10比特总线界面D型门闩线路,高级低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-90780 REV B-2004硅单块 带非倒转和倒转输入的10比特总线界面触发器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-86874 REV C-2006硅单块 八进制缓冲器W/高或低激活的三态非倒转输出,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路

DLA SMD-5962-97585 REV A-2006微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,八路缓冲器W/低启动带三态反向输出,单块硅

DLA SMD-5962-97586 REV A-2007微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,八路缓冲器W/低启动带三态非反向输出,单块硅

DLA SMD-5962-87553 REV B-2005硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4选1译码器或多路分解器,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-87556 REV D-2005硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-91732-1993硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,3到8线译码器或光学多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-87663 REV F-2007硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-92018 REV A-2007硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-92022 REV A-2004硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-92023 REV A-2004硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-92148 REV D-1999硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-92157 REV A-1996硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的缓冲器或钟驱动器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-85506 REV D-2003硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制总线接收器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-90702 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90703 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-91753 REV A-2004硅单块 带有源低允许三态非倒转输出的八进制缓冲器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-97632 REV A-2007微型电路,数字型,改进低功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路4线到1线数据选择器/多用复选择器,单块硅

DLA SMD-5962-04228-2004硅单片互补晶体管-晶体管逻辑电路,装有预先装置及脉冲计时器,双向二进制计算器的高级氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-91725-1994硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输出,带八进制D型止动栓的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-92024 REV A-2004硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-85505 REV C-2005硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-90743 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90750 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90752 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90758 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双2比特双稳定易被识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90940 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-91716-1994硅单块 带匹配横向传播延误的四倍D型缓冲器,钟驱动器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-92066 REV A-2004硅单块 带自动记录器的双向翻译器,八进制发射极耦合逻辑或晶体管-晶体管逻辑电路,发射极耦合逻辑,数字微型电路

DLA SMD-5962-88591 REV C-2008高级双极数字单硅片微电路,采用小功率肖特基晶体管-晶体管逻辑,带反相八进制缓冲器及三态输出的线路驱动器

DLA SMD-5962-87630 REV D-2003硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转行驱动线或缓冲器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-87644 REV B-2003硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转八进制透明闩锁,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-87656 REV B-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,明确八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-91723 REV B-2003硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-91724-1993硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,带三态输出的双互补金属氧化物半导体的八进制总线接收器和自动记录器,数字微型电路

DLA SMD-5962-92025 REV A-2004硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-90742 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90746 REV B-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制D型易被识破的止动销,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90748 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90870 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制记名的无线电收发机,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-91724 REV A-2008数字单硅片微电路,由双极互补金属氧化物半导体结构组成,带八进制总线收发器及三台输出寄存器,与晶体管-晶体管逻辑兼容

DLA SMD-5962-98627 REV A-2007微型电路,线型,双极改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,带清零信号和预置信号的双路正边沿触发D型触发器,单块硅

DLA SMD-5962-97592 REV A-2007微型电路,数字型,双极,带清零信号和预置信号的改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路正边沿触发D型触发器,单块硅

DLA SMD-5962-91610 REV B-2007硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-91611 REV A-2000硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-87627 REV C-2006硅单块 可锁的晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-87655 REV B-2003硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的倒转八进制行驱动线或缓冲器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-91722 REV D-2004硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,非同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-85507 REV E-2003硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-90706 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入非倒转六进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90749 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带非倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-95614 REV A-2008高级双极数字单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的18比特总线收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入

DLA SMD-5962-90695-1991硅单块 带三态输出8比特总线界面双稳态多谐振荡器触发器,晶体管-晶体管逻辑电路,高级低功率肖脱基,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-91609 REV B-2007硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置的八比特诊断式自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-87631 REV C-2005硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-87725 REV B-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带主重设置八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-90701 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90848 REV A-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,可预设置的同步4比特二进制升值或降值计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90906 REV A-2006硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的双1选4数据收集器和多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-90938 REV B-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带开放式控制器输出的八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-87525 REV F-2007硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带预设置和清除的双D型双稳态多谐振荡器触发器,高级互补金属氧化物半导体 数字微型电路

DLA SMD-5962-90741 REV B-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA SMD-5962-90744 REV B-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路

DLA MIL-PRF-55310/21 F-2008振荡器，晶体控制，类型 1（晶体振荡器（XO）），1.0 MHz 至 60.0 MHz，密封，方波，TTL

DLA MIL-PRF-55310/21 G-2008振荡器，晶体控制，类型 1（晶体振荡器（XO）），1.0 MHz 至 60.0 MHz，密封，方波，TTL

DLA SMD-5962-86856 REV A-2003硅单块 带三态输出和终端开关晶体管-晶体管逻辑电路和闭回路鉴定与报告兼容输入的八进制D型止动销 高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路

DLA SMD-5962-90939 REV C-2006硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路

立陶宛标准局，关于晶体 晶体的标准

LST EN 120003-2001空白详细规范 光电晶体管、光电达林顿晶体管、光电晶体管阵列

LST EN ISO 11979-10:2007眼科植入物 人工晶状体 第10部分：有晶状体眼人工晶状体（ISO 11979-10:2006）

法国标准化协会，关于晶体 晶体的标准

NF C93-120-003*NF EN 120003:1992空白详细规范：光电晶体管、光电达林顿晶体管、光电晶体管阵列

NF EN 120003:1992特殊框架规格：光电晶体管、光电达林顿晶体管、光电晶体管阵列

NF EN ISO 11979-7:2018眼科植入物 - 人工晶状体 - 第 7 部分：人工晶状体矫正无晶体眼的临床研究

NF EN ISO 11979-10:2018眼科植入物 - 人工晶状体 - 第 10 部分：人工晶状体矫正晶状体眼屈光不正的临床研究

NF S94-750-10:2006眼科植入物.眼底镜.第10部分:晶体眼人工晶体植入术(PHAKIC)眼底镜

NF S94-750-10/A1:2014眼科植入物. 眼内透镜. 第10部分: 有晶状体眼人工晶状体. 修改件1

(美国)*事条例和规范，关于晶体 晶体的标准

ARMY MIL-PRF-55310/28 C-2008晶体振荡器(XO):方波为 1.0兆赫-85兆赫的晶体管晶体管逻辑系列(TTL)1型气密封晶控振荡器

ARMY MIL-PRF-55310/8 J-2009晶体振荡器(XO):方波为50赫兹-50兆赫的晶体管晶体管逻辑系列(TTL)1型气密封晶控振荡器

ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009晶体振荡器(XO):方波为0.01赫兹-50兆赫的晶体管晶体管逻辑半导体系列(TTL)1型气密封晶控振荡器

ARMY MIL-PRF-55310/29 C-2011振荡器，晶体控制，类型 1（晶体振荡器（XO）），0.2 MHz 至 85 MHz，密封，方波，HCMOS

ARMY MIL-PRF-55310/34 C-2013振荡器，晶体控制，类型 1（晶体振荡器（XO）），500 KHz 至 150 MHz，密封，低压 CMOS

ARMY MIL-PRF-55310/38 B-2013振荡器，晶体控制，类型 1（晶体振荡器（XO）），500 KHz 至 150 MHz，密封，低压 CMOS

ARMY MIL-PRF-55310/28 C VALID NOTICE 1-2013振荡器，晶体控制，类型 1（晶体振荡器（XO）），1.0 MHz 至 85 MHz，密封，方波，TTL

ARMY MIL-PRF-55310/30 D VALID NOTICE 1-2013振荡器，晶体控制，类型 1（晶体振荡器（XO）），450 KHz 至 100 MHz，密封，低压 CMOS

ARMY MIL-PRF-55310/36 B-2013振荡器，晶体控制，类型 1（晶体振荡器（XO），1 MHz 至 100 MHz，密封，低压 1.8V CMOS

AENOR，关于晶体 晶体的标准

UNE-EN ISO 11979-10:2007/A1:2014眼科植入物 人工晶状体 第10部分：有晶状体人工晶状体（ISO 11979-10:2006/Amd 1:2014）

UNE-EN ISO 11979-10:2007眼科植入物 人工晶状体 第10部分：有晶状体眼人工晶状体（ISO 11979-10:2006）

丹麦标准化协会，关于晶体 晶体的标准

DS/EN ISO 11979-10:2006眼科植入物 人工晶状体 第10部分：有晶状体眼人工晶状体

国家质检总局，关于晶体 晶体的标准

GB/T 42676-2023半导体单晶晶体质量的测试X射线衍射法

台湾地方标准，关于晶体 晶体的标准

CNS 1996-1978化学试药（氯化锡，晶体）（四氯化锡晶体）

韩国科技标准局，关于晶体 晶体的标准

KS P ISO 11979-10:2019眼科植入物 - 人工晶状体 - 第10部分:晶状体眼人工晶状体矫正屈光不正的临床研究

KS P ISO 11979-7:2021眼科植入物.人工晶状体.第7部分:无晶状体矫正用人工晶状体的临床研究

KR-KS，关于晶体 晶体的标准

KS P ISO 11979-10-2019眼科植入物 - 人工晶状体 - 第10部分:晶状体眼人工晶状体矫正屈光不正的临床研究

KS P ISO 11979-7-2021眼科植入物.人工晶状体.第7部分:无晶状体矫正用人工晶状体的临床研究

国际标准化组织，关于晶体 晶体的标准

ISO 11979-1:2018眼科植入物 - 人工晶状体 - 第10部分:晶状体眼人工晶状体矫正屈光不正的临床研究

ISO/FDIS 11979-7:2011眼科植入物 人工晶状体 第 7 部分：人工晶状体矫正无晶体眼的临床研究

ISO/DIS 11979-7眼科植入物“人工晶状体”第7部分：人工晶状体矫正无晶状体的临床研究

欧洲标准化委员会，关于晶体 晶体的标准

EN ISO 11979-10:2018眼科植入物.眼内透镜.第10部分:有晶体眼人工晶体植入术

EN ISO 11979-10:2006眼科植入物.眼内透镜.第10部分:有晶体眼人工晶体植入术 ISO 11979-10-2006

EN ISO 11979-10:2006/A1:2014眼科植入物.眼内透镜.第10部分:有晶体眼人工晶体植入术包含修改件A1,2014

YU-JUS，关于晶体 晶体的标准

JUS N.R9.071-1986压电振子．石英晶体元件．双线晶体座外廓，类型18

JUS N.R9.070-1986压电振子．石英晶体元件．双线晶体座外廓，类型09

JUS N.R9.073-1986压电振子．石英晶体元件．双线晶体座外廓，类型17

JUS N.R9.069-1986压电振子．石英晶体元件．双线晶体座外廓，类型07

JUS N.R9.064-1986压电振子．石英晶体元件．双线晶体座外廓，类型11、14、15

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于晶体 晶体的标准

JEDEC JES2-1992电晶体,砷化镓场效应晶体管,总规范

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于晶体 晶体的标准

IEEE 180-1962压电和铁电晶体标准：铁电晶体术语的定义 1962（62 IRE 14.S1）

检测流程

温馨提示：以上内容仅供参考，更多其他检测内容请咨询客服。