GB/T31470-2015俄歇电子能谱与X
2024-12-02
标准简介:本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。本标准适用于线宽180nm、130nm 和90nm 工艺退火硅片。
标准号:GB/T 26069-2010
标准名称:硅退火片规范
英文名称:Specification for silicon annealed wafers
标准类型:国家标准
标准性质:推荐性
标准状态:现行
发布日期:2011-01-10
实施日期:2011-10-01
中国标准分类号(CCS):冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
国际标准分类号(ICS):电气工程>>29.045半导体材料
替代以下标准:被GB/T 26069-2022代替
起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、宁波立立电子股份有限公司和杭州海纳半导体有限公司
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/T
发布单位:国家质量监督检验检疫.
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