检测内容

靶单晶检测报告如何办理？检测项目及标准有哪些？百检第三方检测机构，严格按照靶单晶检测相关标准进行测试和评估。做检测，找百检。我们只做真实检测。

涉及靶 单晶的标准有198条。

国际标准分类中，靶 单晶涉及到半导体材料、金属材料试验、物理学、化学、核能工程、工业炉、频率控制和选择用压电器件与介质器件、光学和光学测量、有色金属、绝缘流体、钢铁产品、粉末冶金、电子元器件综合、教育、陶瓷、切削工具、复合增强材料、空气质量、职业安全、工业卫生、珠宝、医疗设备、太阳能工程、词汇、有色金属产品、电气设备元件、光电子学、激光设备、电信设备用部件和附件、半导体分立器件、整流器、转换器、稳压电源。

在中国标准分类中，靶 单晶涉及到化合物半导体材料、半金属及半导体材料分析方法、人工晶体、金属无损检验方法、金属物理性能试验方法、元素半导体材料、仪器、仪表用材料和元件、金属化学性能试验方法、工业电热设备、石英晶体、压电元件、光电子器件综合、光学计量、计算机综合、半金属与半导体材料综合、稀有分散金属及其合金、金相检验方法、半金属、稀有高熔点金属及其合金、电子技术专用材料、、稀有金属及其合金分析方法、教学专用仪器、磨料与磨具、特殊炭素材料、卫生、安全、劳动保护、其他非金属矿、特种陶瓷、医用核仪器、特种非金属矿、炼焦、烧结设备、、太阳能、半导体二极管、航空与航天用金属铸锻材料、铸造、大气环境有毒害物质分析方法、磁性元器件、红外器件、工业防尘防毒技术、基础标准与通用方法、波导同轴元件及附件、半导体分立器件综合、电力半导体器件、部件、加工专用设备、经济管理、技术管理、教育、学位、学衔、稀有轻金属及其合金。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于靶 单晶的标准

GB/T 20229-2022磷化镓单晶

GB/T 20230-2022磷化铟单晶

GB/T 41153-2021碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法

GB/T 20228-2021砷化镓单晶

GB/T 39123-2020X射线和γ射线探测器用碲锌镉单晶材料规范

GB/T 39137-2020难熔金属单晶晶向测定方法

GB/T 11094-2020水平法砷化镓单晶及切割片

GB/T 8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T 5252-2020锗单晶位错密度的测试方法

GB/T 5238-2019锗单晶和锗单晶片

GB/T 37418-2019硅酸镥、硅酸钇镥闪烁单晶

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于靶 单晶的标准

GB/T 35305-2017太阳能电池用砷化镓单晶抛光片

GB/T 34210-2017蓝宝石单晶晶向测定方法

GB/T 33763-2017蓝宝石单晶位错密度测量方法

国家质检总局，关于靶 单晶的标准

GB/T 19199-2015半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

GB/T 17170-2015半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

GB/T 32188-2015氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

GB/T 30839.46-2015工业电热装置能耗分等第46部分:单晶炉

GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片

GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

GB/T 31092-2014蓝宝石单晶晶锭

GB/T 10067.410-2014电热装置基本技术条件 第410部分:单晶炉

GB/T 30858-2014蓝宝石单晶衬底抛光片

GB/T 30118-2013声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法

GB/T 29421-2012钒酸盐双折射光学单晶元件

GB/T 29420-2012掺钕钒酸盐激光单晶元件

GB/T 9532-2012压电单晶材料型号命名方法

GB/T 26072-2010太阳能电池用锗单晶

GB/T 26074-2010锗单晶电阻率直流四探针测量方法

GB/T 25075-2010太阳能电池用砷化镓单晶

GB/T 1555-2009半导体单晶晶向测定方法

GB/T 11072-2009锑化铟多晶、单晶及切割片

GB/T 5238-2009锗单晶和锗单晶片

GB/T 22452-2008硼酸盐非线性光学单晶元件通用技术条件

GB/T 22453-2008硼酸盐非线性光学单晶元件质量测试方法

GB/T 11093-2007液封直拉法砷化镓单晶及切割片

GB/T 11094-2007水平法砷化镓单晶及切割片

GB/T 5252-2006锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

GB/T 8760-2006砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB/T 4326-2006非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T 20228-2006砷化镓单晶

GB/T 20229-2006磷化镓单晶

GB/T 20230-2006磷化铟单晶

GB/T 19199-2003半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

GB/T 18032-2000砷化镓单晶AB微缺陷检验方法

GB/T 17170-1997非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

GB/T 1555-1997半导体单晶晶向测定方法

GB/T 5238-1995锗单晶

GB/T 1551-1995硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法

GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

GB/T 14843-1993铌酸锂单晶

GB/T 13843-1992蓝宝石单晶抛光衬底片

GB/T 11072-1989锑化铟多晶、单晶及切割片

GB/T 11093-1989液封直拉法砷化镓单晶及切割片

GB/T 11297.6-1989锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法

GB/T 11094-1989水平法砷化镓单晶及切割片

GB/T 11297.7-1989锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法

GB/T 9532-1988铌酸锂、钽酸锂、锗酸铋、硅酸铋压电单晶材料型号命名方法

GB/T 8760-1988砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB 8760-1988砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB/T 5252-1985锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

GB 4326-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T 4326-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB 11297.7-1989锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 {新定价}

GB/T 32282-2015氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法

GB/T 32189-2015氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

教育部，关于靶 单晶的标准

JY/T 0588-2020单晶X射线衍射仪测定小分子化合物的晶体及分子结构分析方法通则

国际标准化组织，关于靶 单晶的标准

ISO 22278-2020精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.用平行X射线束X射线衍射法测定单晶薄膜（晶片）结晶质量的试验方法

工业和信息化部，关于靶 单晶的标准

JB/T 13942-2020超硬磨料静压法合成工业用大单晶金刚石

JC/T 2545-2019高性能红外探测器用热释电单晶

JC/T 2513-2019磷酸钛氧钾单晶元件抗灰迹性能测试方法

JC/T 2512-2019全固态激光器用高抗灰迹磷酸钛氧钾单晶元件技术要求

YB/T 4589-2017单晶炉保温用炭/炭复合材料

JC/T 2417-2017四硼酸锂压电单晶材

YB/T 4588-2017单晶炉用板状结构炭/炭复合材料

YB/T 4587-2017单晶炉用炭/炭复合材料发热体

YS/T 1182-2016锗单晶安全生产规范

，关于靶 单晶的标准

GOST 16153-1980单晶锗.技术条件

英国标准学会，关于靶 单晶的标准

BS EN 62276-2016表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规格和测量方法

BS EN 62276-2016表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规格和测量方法

BS EN 62276-2013表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规格和测量方法

BS EN 62276-2005表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规范和测量方法

国际电工委员会，关于靶 单晶的标准

IEC 62276-2016用于表面声波（锯）的单晶硅片器件应用 - 规格和测量方法

IEC 62276:2016用于表面声波（锯）的单晶硅片器件应用 - 规格和测量方法

IEC 62276:2012用于表面声波（锯）的单晶硅片器件应用 - 规格和测量方法

IEC 62276-2012表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规格和测量方法

IEC 62276-2005表面声波装置用单晶薄片.规范和测量方法

美国材料与试验协会，关于靶 单晶的标准

ASTM D6058-96(2016)确定工作环境中机载单晶陶瓷晶须浓度的标准实践

ASTM F76-08(2016)e1测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法

ASTM F76-08(2016)测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法

ASTM D6058-96(2011)确定工作环境中机载单晶陶瓷晶须浓度的标准实践

ASTM F76-08测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法

ASTM F76-2008测量单晶半导体的电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率的试验方法

ASTM F76-2008(2016)测量电阻率和霍尔系数和测定单晶半导体中霍尔迁移率的标准试验方法

ASTM D6058-96(2006)确定工作环境中机载单晶陶瓷晶须浓度的标准实践

ASTM D6056-96(2006)用透射电子显微镜测定工作环境中空气中单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法

ASTM D6059-96(2006)用扫描电子显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法

ASTM D6057-96(2006)用相衬显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法

ASTM D6059-96用扫描电子显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法

ASTM D6059-96(2001)用扫描电子显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法

ASTM D6056-96(2001)用透射电子显微镜测定工作场所环境中空气中单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法

ASTM D6057-96(2001)e1用相衬显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法

ASTM D6058-96确定工作环境中机载单晶陶瓷晶须浓度的标准实践

ASTM D6056-96用透射电子显微镜测定工作场所环境中空气中单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法

ASTM D6058-96(2001)确定工作环境中机载单晶陶瓷晶须浓度的标准实践

ASTM D6057-96用相衬显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法

ASTM D6059-1996(2006)用扫描电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法

ASTM D6056-1996用传输电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法

ASTM D6056-1996(2001)用传输电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法

ASTM D6058-1996(2011)工作环境下空气中单晶陶瓷晶须浓度测定的标准操作规程

ASTM D6059-1996(2001)用扫描电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法

ASTM D6059-1996(2011)用电子显微镜扫描测定工作环境下空气中单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法

ASTM D6057-1996(2011)工作环境下相衬显微镜测定空气中单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法

ASTM D6057-1996(2001)e1用相位显微术对工作环境空气中单晶陶瓷晶须浓度的测定的标准试验方法

ASTM D6057-1996(2006)用相位显微术对工作环境空气中单晶陶瓷晶须浓度的测定的标准试验方法

ASTM D6056-1996(2011)工作环境下空气中单晶陶瓷晶须浓度透射电子显微镜测定的标准试验方法

ASTM D6057-1996用相位显微术对工作环境空气中单晶陶瓷晶须浓度的测定的标准试验方法

ASTM D6056-1996(2006)用传输电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法

ASTM D6058-1996(2006)工作区环境内空中单晶陶瓷接触须测定浓度的标准操作

ASTM D6058-1996(2001)工作区环境内空中单晶陶瓷接触须测定浓度的标准操作

ASTM D6058-1996工作区环境内空中单晶陶瓷接触须测定浓度的标准操作

ASTM D6059-1996用扫描电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法

ASTM F847-1994(1999)单晶硅片参考面结晶学取向X射线测量的标准试验方法

ASTM F76-86(1996)e1测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法

ASTM F76-86(2002)测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法

ASTM F76-1986(2002)测量单晶半导体的电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率的试验方法

ASTM F76-1986(1996)e1测量单晶半导体的电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率的试验方法

国土资源部，关于靶 单晶的标准

DZ/T 0294-2016化学气相沉积法合成无色单晶钻石 筛查和鉴定

行业标准-建材，关于靶 单晶的标准

JC/T 2343-2015导模法制备单晶三氧化二铝管

JC/T 2139-2012核物理领域用高纯二氧化碲单晶

JC/T 2025-2010铌镁钛酸铅（PMNT）压电单晶材料

行业标准-电子，关于靶 单晶的标准

SJ/T 11504-2015碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法

SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法

SJ/T 11503-2015碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法

SJ/T 11505-2015蓝宝石单晶抛光片规范

SJ/T 11499-2015碳化硅单晶电学性能的测试方法

SJ/T 11501-2015碳化硅单晶晶型的测试方法

SJ/T 11502-2015碳化硅单晶抛光片规范

SJ 20858-2002碳化硅单晶材料电学参数测试方法

SJ 20843-2002砷化镓单晶AB微缺险密度定量检验方法

SJ 20844-2002半绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法

SJ/T 11207-1999钇铁石榴石单晶磁性薄膜磁特性的测量方法

SJ 20641-1997红外探测器用锑化铟单晶规范

SJ 20606-1996二氧化碲单晶规范

SJ 20607-1996钼酸铅单晶规范

SJ 20605-1996声表面波（SAW）器件用钽酸锂单晶规范

SJ 3249.2-1989半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

SJ 3241-1989砷化镓单晶棒及片

SJ 3243-1989磷化铟单晶棒及片

SJ 3249.1-1989半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料的电阻率测试方法

SJ 3244.3-1989砷化镓、磷化铟单晶晶向的测量方法

SJ 3245-1989磷化铟单晶位错的测量方法

SJ 2915-1988微波铁氧体单晶器件名词术语和定义

SJ/Z 2655-1986锗单晶缺陷图集

SJ/T 31109-1994高压单晶炉完好要求和检查评定方法

SJ/T 11450-2013单晶炉能源消耗规范

SJ/T 31108-1994CG3000型单晶炉完好要求和检查评定方法

SJ 20444-1994铌酸锂单晶规范

行业标准-有色金属，关于靶 单晶的标准

YS/T 977-2014单晶炉碳/碳复合材料保温筒

YS/T 978-2014单晶炉碳/碳复合材料导流筒

YS/T 792-2012单晶炉用碳/碳复合材料坩埚

YS 783-2012红外锗单晶单位产品能源消耗限额

YS/T 42-2010钽酸锂单晶

YS/T 554-2007铌酸锂单晶

YS/T 554-2006铌酸锂单晶

行业标准-机械，关于靶 单晶的标准

JB/T 12068-2014TDR-Z直拉法锗单晶炉

JB/T 7996-2012普通磨料.单晶刚玉

JB/T 5203-2012单晶刚玉化学分析方法

JB/T 10439-2004单晶炉 TDR系列直拉法单晶炉

JB/T 7996-1999普通磨料.单晶刚玉

JB/T 5203-1991单晶刚玉.化学分析方法

JB/T 5633-1991单晶炉 能耗分等

日本工业标准调查会，关于靶 单晶的标准

JIS C6760-2014表面声波 (SAW) 器件用单晶晶片. 规范和测量方法

JIS C6760-2014表面声波 (SAW) 器件用单晶晶片. 规范和测量方法

2013/12/02，关于靶 单晶的标准

DB13/T 1828-2013太阳能级类单晶硅片

德国标准化学会，关于靶 单晶的标准

DIN EN 62276-2013表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规格和测量方法(IEC 62276-2012).德文版本EN 62276-2013

DIN 6855-2-2013核医疗仪器的质量控制.第2部分:用于单光子X线断层术的带旋转检测头的角型γ射线摄像机和平面闪烁扫描术的单晶γ射线摄像机的稳定试验

DIN V VDE V 0126-18-3-2007太阳能硅片.第3部分:结晶硅片的碱性腐蚀损坏.单晶硅片和多晶硅片腐蚀速度的测定方法

DIN 6855-2-2005核医疗仪器的质量控制.第2部分:用于单光子X线断层术的带旋转检测头的角型γ射线摄像机和平面闪烁扫描术的单晶γ射线摄像机的稳定试验

DIN 50454-2-1994半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第2部分:铟磷化物

DIN 50454-3-1994半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物

DIN 50439-1982半导体技术材料的试验.用电容--电压法和水银接点确定单晶层半导体材料中掺杂剂的浓度分布曲线

DIN 41762-2-1974静态大功率整流器.第2部分:半导体整流器组和组件、单晶半导体整流器组和组件额定值代码标识

法国标准化协会，关于靶 单晶的标准

NF C93-616-2013表面声波 (SAW) 器件用单晶晶片 - 规范和测量方法

陕西省市场监督管理局，关于靶 单晶的标准

DB61/T 512-2011太阳电池用单晶硅片检验规则

2010/11/15，关于靶 单晶的标准

DB13/T 1314-2010太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片

韩国标准，关于靶 单晶的标准

KS C IEC 62276-2007表面声波装置用单晶薄片.规范和测量方法

行业标准-航空，关于靶 单晶的标准

HB 7762-2005航空发动机用定向凝固柱晶和单晶高温合金锭规范

HB 6742-1993单晶叶片晶体取向的测定X射线背射劳厄照相法

国家*用标准-国防科工委，关于靶 单晶的标准

GJB 5512.3-2005铸造高温合金和铸造金属间化合物高温材料母合金规范 第3部分：单晶铸件用铸造高温合金母合金

美国国家标准学会，关于靶 单晶的标准

ANSI/ASTM D6058-2001工作环境空气中单晶陶瓷须晶浓度测定惯例

ANSI/ASTM D6057-2001用相衬显微镜测定工作环境空气中单晶陶瓷须晶浓度的方法

ANSI/ASTM D6056-2001用传输电子显微镜测定工作环境空气中单晶陶瓷须晶浓度的方法

ANSI/ASTM D6059-2001用扫描电子显微镜测定工作环境空气中单晶陶瓷须晶浓度的方法

中国团体标准，关于靶 单晶的标准

T/CEC 290-2019背接触单晶硅片技术要求

行业标准-教育，关于靶 单晶的标准

JY/T 008-1996四圆单晶X射线衍射仪测定小分子化合物的晶体及分子结构分析方法通则

检测时间周期

一般3-10天出报告，有的项目1天出报告，具体根据靶单晶检测项目而定。

检测报告有效期

一般靶单晶检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。

检测流程

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