四极场低频检测报告如何办理？检测项目及标准有哪些？百检第三方检测机构，严格按照四极场低频检测相关标准进行测试和评估。做检测，找百检。我们只做真实检测。

涉及四极场低频的标准有351条。

国际标准分类中，四极场低频涉及到半导体分立器件、金属的腐蚀、土质、土壤学、电站综合、电子管、无线通信、采矿设备、电力牵引设备、辐射测量、电磁兼容性(EMC)、电学、磁学、电和磁的测量、土方工程、挖掘、地基构造、地下工程、辐射防护、集成电路、微电子学、网络、金属材料试验、土方机械、农业机械、工具和设备、施工设备、电气工程综合、电信设备用部件和附件、电工和电子试验、电线和电缆、开放系统互连(OSI)、电子电信设备用机电元件、残障人员用设备、声学和声学测量、绝缘、综合业务数字网(ISDN)、电子元器件综合、挠性传动和传送、电子设备用机械构件、接口和互连设备、输电网和配电网、绝缘材料。

在中国标准分类中，四极场低频涉及到半导体三极管、场效应器件、热加工工艺、电力综合、、其他电真空器件、通信网性能指标及测试、地质勘探设备、牵引电气设备、基础标准和通用方法、电磁兼容、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、基础标准与通用方法、物理学与力学、电离辐射计量、微电路综合、金属物理性能试验方法、电缆及其附件、半导体分立器件综合、电力试验技术、半导体集成电路、数据通信、连接器、噪声、振动测试方法、电子元件综合、半导体二极管、电力半导体器件、部件、电声器件、无线电通信设备、高压开关设备、带绝缘层电线、电工材料和通用零件综合。

行业标准-电子，关于四极场低频的标准

SJ 2356-19833CD347型PNP硅低压低频大功率三极管

SJ 1986-1981CS13型低频低噪声场效应半导体管

SJ 1988-1981CS15型低频低噪声场效应半导体管

SJ 1984-1981CS11型低频低噪声场效应半导体管

SJ 1987-1981CS14型低频低噪声场效应半导体管

SJ 1983-1981CS10型低频低噪声场效应半导体管

SJ 1985-1981CS12型低频低噪声场效应半导体管

SJ 2362-19833CD159型、3CD160型PNP硅低压低频大功率三极管

SJ 2363-19833CD162型、3CD362型PNP硅低压低频大功率三极管

SJ 2364-19833CD164型、3CD364型PNP硅低压低频大功率三极管

SJ 2365-19833CD167型、3CD367型PNP硅低压低频大功率三极管

SJ 1690-19803DD206型NPN硅低频大功率三极管

SJ 1692-19803DD208型NPN硅低频大功率三极管

SJ 1693-19803AD150型PNP锗低频大功率三极管

SJ 1686-19803DD202型NPN硅低频大功率三极管

SJ 1689-19803DD205型NPN硅低频大功率三极管

SJ 1994-1981CS24型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 2002-1981CS32型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 2003-1981CS33型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 2001-1981CS31型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 1995-1981CS25型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 1997-1981CS27型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 1998-1981CS28型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 2000-1981CS30型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 2004-1981CS34型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 1993-1981CS23型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 1996-1981CS26型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 1999-1981CS29型低频低噪声场效应半导体对管

SJ 1974-1981CS1型低频场效应半导体管

SJ 1975-1981CS2型低频场效应半导体管

SJ 1976-1981CS3型低频场效应半导体管

SJ 2358-19833CD151型、3CD152型、3CD351型PNP硅低压低频大功率三极管

SJ 2359-19833CD153型、3CD154型、3CD353型PNP硅低压低频大功率三极管

SJ 2360-19833CD155型、3CD156型、3CD355型PNP硅低压低频大功率三极管

SJ 2361-19833CD157型、3CD158型、3CD357型PNP硅低压低频大功率三极管

SJ 2357-19833CD149型、3CD150型、3CD349型PNP硅低压低频大功率三极管

SJ 1990-1981CS20型低频场效应半导体对管

SJ 1991-1981CS21型低频场效应半导体对管

SJ 1992-1981CS22型低频场效应半导体对管

SJ 1989-1981CS19型低频场效应半导体对管

SJ 2366-19833CD447型PNP硅高压低频大功率三极管

SJ/T 9167.1-1993无阴极射线管的低电压视频产品

SJ 934-19753DD100型硅NPN低频高反压大功率三极管

SJ 2376-19833CD647型PNP硅外延平面低频大功率三极管

SJ 779-19743DD71型NPN硅外延平面低频大功率三极管

SJ 781-19743DD73型NPN硅外延平面低频大功率三极管

SJ 774-19743DD64型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

SJ 2372-19833CD259型、3CD260型PNP硅高压低频大功率三极管

SJ 2373-19833CD262型、3CD462型PNP硅高压低频大功率三极管

SJ 2374-19833CD264型、3CD464型PNP硅高压低频大功率三极管

SJ 768-19743DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

SJ 935-19753DD101、3DD102型硅NPN低频高反压大功率三极管

SJ 770-19743DD58型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

SJ 772-19743DD61型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

SJ 776-19743DD67型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

SJ 778-19743DD70型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

SJ 780-19743DD72型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

SJ 2375-19833CD267型、3CD467型PNP硅高压低频大功率三极管

SJ 936-19753DD103、3DD104型硅NPN低频高反压大功率三极管

SJ 766-19743DD52型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

SJ 2382-19833CD559型、3CD560型PNP硅外延平面低频大功率三极管

SJ 2367-19833CD249型、3CD250型、3CD449型PNP硅高压低频大功率三极管

SJ 2368-19833CD251型、3CD252型、3CD451型PNP硅高压低频大功率三极管

SJ 2369-19833CD253型、3CD254型、3CD453型PNP硅高压低频大功率三极管

SJ 2370-19833CD255型、3CD256型、3CD455型PNP硅高压低频大功率三极管

SJ 2371-19833CD257型、3CD258型、3CD457型PNP硅高压低频大功率三极管

SJ 765-19743DD50和3DD51型NPN硅外延平面低频大功率三极管

SJ 1636-19803DD151型、3DD152型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1637-19803DD153型、3DD154型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1638-19803DD155型、3DD156型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1639-19803DD157型、3DD158型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1641-19803DD162型、3DD163型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1645-19803DD173型、3DD174型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1646-19803DD175型、3DD176型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1647-19803DD253型、3DD254型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1649-19803DD257型、3DD258型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1648-19803DD255型、3DD256型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1651-19803DD262型、3DD263型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 769-19743DD56和3DD57型NPN硅外延平面低频大功率三极管

SJ 773-19743DD62和3DD63型NPN硅外延平面低频大功率三极管

SJ 771-19743DD59和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管

SJ 1655-19803DD275型、3DD276型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 777-19743DD68型和3DD69型NPN硅外延平面低频大功率三极管

SJ 794-19743DG141型NPN硅外延平面高频小功率低噪声三极管

SJ 795-19743DG142型NPN硅外延平面高频小功率低噪声三极管

SJ 775-19743DD65型和3DD66型NPN硅外延平面低频大功率三极管

SJ 1483-19793CG140型PNP硅外延平面高频小功率低噪声三极管

SJ 2282-19833DG143型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 2283-19833DG144型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 2284-19833DG145型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 2287-19833DG148型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 2288-19833DG149型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 2290-19833DG152型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 2380-19833CD555型、3CD556型、3CD655型PNP硅外延平面低频大功率三极管

SJ 2381-19833CD557型、3CD558型、3CD657型PNP硅外延平面低频大功率三极管

SJ 2377-19833CD549型、3CD550型、3CD649型PNP硅外延平面低频大功率三极管

SJ 2379-19833CD553型、3CD554型、3CD653型PNP硅外延平面低频大功率三极管

SJ 2293-19833DG155型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 2294-19833DG156型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 767-19743DD53型和3DD54型NPN型硅外延平面低频大功率三极管

SJ 1652-19803DD264型、3DD265型、3DD266型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1653-19803DD267型、3DD268型、3DD269型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1643-19803DD167型、3DD168型、3DD169型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1644-19803DD170型、3DD171型、3DD172型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1650-19803DD259型、3DD260型、3DD261型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 2286-19833DG147型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 2291-19833DG153型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 1654-19803DD270型、3DD271型、3DD272型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1640-19803DD159型、3DD160型、3DD161型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 1642-19803DD164型、3DD165型、3DD166型NPN硅扩散台面低频大功率三极管

SJ 2292-19833DG154型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 2285-19833DG146型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 2378-19833CD551型、3CD552型、3CD651型PNP硅外延平面低频大功率三极管

SJ 2289-19833DG151型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

SJ 3124-1988电子元器件详细规范.3DD1942型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管

SJ 3125-1988电子元器件详细规范.3DD2027型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管

SJ 3126-1988电子元器件详细规范.3DD869型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管

SJ 3127-1988电子元器件详细规范.3DD871型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管

SJ 3128-1988电子元器件详细规范.3DD820型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管

SJ/T 10052-1991电子元器件详细规范.3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管

SJ/T 11845.3-2022基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第3部分：二极管

SJ/T 10053-1991电子元器件详细规范.3DD 313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管

SJ/T 10886-1996电子元器件详细规范 3DD201型低频放大管壳额定双极型晶体管（可供认证用）

SJ/T 10833-1996电子元器件详细规范 3DG80型高低频放大环境额定双极型晶体管（可供认证用）

SJ/T 10772-1996电子元器件详细规范 3DG201C型环境额定高低频放大双极型晶体管（可供认证用）

SJ/T 10887-1996电子元器件详细规范 3DD102B型低频放大管壳额定的双极型晶体管（可供认证用）

SJ/T 10770-1996电子元器件详细规范 3DG130A-3DG130D型环境额定高低频放大双极型晶体管（可供认证用）

SJ/T 10790-1996电子元器件详细规范 3CG21B、3CG21C型高低频放大环境额定的双极型晶体管（可供认证用）

SJ/T 10973-1996电子元器件详细规范 3DD200型硅NPN低频放大用管壳额定双极型晶体管（可供认证用）

SJ/T 10791-1996电子元器件详细规范 3CX2014A、3CX201B、3CX201C型高低频放大环境额定的双极型晶体管（可供认证用）

SJ/T 10771-1996电子元器件详细规范 3DG111B（111C、111E、111F）型环境额定高低频放大双极型晶体管（可供认证用）

SJ/T 10792-1996电子元器件详细规范 3DX201A、3DX201B、3DX201C型高低频放大环境额定的双极型晶体管（可供认证用）

美国保险商实验所，关于四极场低频的标准

UL 1409-1997不带阴极射线管显示器的安全低压视频产品的 UL 标准（第四版）

UL 1409-1986不带阴极射线管显示器的安全低压视频产品的 UL 标准（第三版；1991年9月12日（含）的修订重印）

台湾地方标准，关于四极场低频的标准

CNS 14811-2004现场土壤电阻率之维纳（Wenner）四极测定法

行业标准-航天，关于四极场低频的标准

QJ 2699-1995低频磁场敏感度测试方法

行业标准-电力，关于四极场低频的标准

DL/T 799.7-2002电力行业劳动环境监测技术规范第7部分:极低频电磁场监测

DL/T 1332-2014电流互感器励磁特性现场低频试验方法测量导则

美国国防后勤局，关于四极场低频的标准

DLA MIL-DTL-3950/17 A-2008环保密封4安培低电平四极搬扭开关

DLA MIL-DTL-83731/25 A-2008环保密封的4安培低电平四极瞬时拨动开关

DLA SMD-5962-92339 REV F-2009微电路，线性，四路，低功耗，视频缓冲器，单片硅

DLA SMD-5962-98533 REV C-2005微型电路,线型,辐射加固,极低噪音四路运算放大器,单块硅

DLA SMD-5962-98533 REV D-2010微电路、线性、抗辐射、噪声极低的四通道、运算放大器、单片硅

DLA SMD-5962-98533 REV E-2013微电路、线性、抗辐射、噪声极低的四通道、运算放大器、单片硅

DLA SMD-5962-90633 REV A-2006硅单片,四重双极结型场效应晶体管,运算放大器,线性微型电路

DLA SMD-5962-97541 REV A-2006双极低电压四重2输入阳性与门缓冲器硅单片电路数字微电路

DLA SMD-5962-88648 REV E-2002硅单片四倍差动线路驱动器低功率肖特基促进双极化数字微电路

DLA SMD-5962-88649 REV E-2005硅单片四倍差动线路接收器低功率肖特基促进双极化数字微电路

DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 2-2013微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，具有三态输出的四路总线缓冲门，单片硅

DLA SMD-5962-85126 REV C-2005硅单块 缓冲器低频率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA SMD-5962-90861 REV A-1996硅单块 单一或双或四列操作增强器,结型场效应晶体管低功率,直线式微型电路

DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008型号为2N7334,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC,JANKCA2N7334以及JANHCA2N7334的硅晶体场效应半导体设备,带N个通道具四个三极管

DLA SMD-5962-86871 REV D-2006硅单块 四倍2输入正面非与缓冲器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路

DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008线性单稳态单硅数字微电路,为低功率双极肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带两个场效应晶体管

工业和信息化部，关于四极场低频的标准

SJ/T 11767-2020二极管低频噪声参数测试方法

国际电信联盟，关于四极场低频的标准

ITU-R P.684-6-2012频率约低于150千赫的场强预测

ITU-R P.684-5-2009频率低于约 150 kHz 时场强的预测

ITU-R P.684-2016频率低于约 150 kHz 时场强的预测

ITU-R P.684-5 FRENCH-2009频率低于约 150 kHz 时的场强预测 Prcloseion du champ aux früences infieures 150 kHz 环境

ITU-R P.684-5 SPANISH-2009频率低于约 150 kHz 时的场强预测 Predicci de la intensidad de Campo en frecuencias por debajo de unos 150 kHz

ITU-R M.633-3-2004406MHz频段低极地轨道卫星运行的卫星应急位置指示无线电信标(卫星EPIRB)系统的传输特征

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector，关于四极场低频的标准

ITU-R P.684-7-2016频率低于约 150 kHz 时场强的预测

ITU-R P.684-2-2001频率低于约 150 kHz 时场强的预测

ITU-R P.684-3-2003频率低于约 150 kHz 时场强的预测（ITU-R 225/3 号课题）

ITU-R M.633-2-2000通过 406 MHz 频段的低极轨卫星系统运行的卫星应急无线电示位标（卫星 EPIRB）系统的传输特性

行业标准-煤炭，关于四极场低频的标准

MT/T 975-2006矿用超低频电场透视仪技术条件

行业标准-铁道，关于四极场低频的标准

TB/T 3351-2014动车组内低频磁场限值与测量方法

韩国科技标准局，关于四极场低频的标准

KS C 0304-1-2009超低频领域的磁场屏蔽率测试方法

KS C IEC 62226-2-1-2008(2018)低频和中频电场或磁场暴露人体感应电流密度和内电场计算方法第2－1部分:磁场暴露2D模型

KS C IEC 62226-1:2008曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第1部分:总则

KS C IEC 62226-2-1:2008处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.2维模型

KS X 4651-2-2014信息技术《磁场网络》《低频段》第2部分：MAC层要求

KS X 4651-2-2014(2019)信息技术 - 磁场网络 - 低频段 - 第2部分:MAC层要求

KS X 4651-1-2014(2019)信息技术 - 磁场网 - 低频段 - 第1部分:物理层要求

KS C IEC 62226-1-2008(2018)暴露在低频和中频范围电场或磁场 - 用于计算电流密度和在人体内诱发的内部电场方法 - 第一部分:一般

KS X 4651-1-2014信息技术《磁场网络》《低频段》第1部分：物理层要求

KS C IEC 61786:2008关于人体暴露的低频电场和磁场的测量.仪表的特殊要求和测量指南

KS C IEC 61000-2-7-2007(2017)电磁兼容性第2－7部分:环境各种环境中的低频磁场

KS C IEC 61786-2008(2018)与人体接触有关的低频磁场和电场的测量仪器的特殊要求和测量指南

KS C IEC 60130-5:2003频率低于3MHz(Mc/s)的连接器.第5部分:扁脚多极矩形连接器

KS C IEC 60130-5:2014频率低于3MHz（Mc/s）的连接器 第5部分：扁脚多极矩形连接器

KS C IEC 60747-7-1-2006(2016)半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管空白详细规范

KS C IEC 60747-7-1-2006(2021)半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管空白详细规范

KS X 4651-1-2009信息技术.磁场通信网络.低频段.第1部分:物理层的要求

KS C IEC 61000-2-7-2007(2022)电磁兼容性（EMC）－第2－7部分:环境－各种环境中的低频磁场

KS C IEC 60747-7-4-2006(2021)半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第四节:高频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范

KS C IEC 60130-6:2003频率低于3MHz(Mc/s)的连接器.第6部分:扁脚小型多极矩形连接器

KS C IEC 60130-4-2003(2008)频率低于3mhz（Mc/s）的连接器第4部分:螺纹联接圆形多极连接器

KS C IEC 60130-6:2014频率低于3MHz（Mc/s）的连接器 第6部分：扁脚小型多极矩形连接器

KS C IEC 61000-2-7:2007电磁兼容性(EMC).第2部分:环境.第7节:各种环境下的低频磁场

KS C IEC 60130-4:2003频率低于3MHz(Mc/s)的连接器.第4部分:螺纹连接的多极圆形连接器

KS C IEC 60130-4:2014频率低于3MHz（Mc/s）的连接器 第4部分：螺纹连接的多极圆形连接器

KS C IEC 60130-5-2003(2008)频率低于3mhz（Mc/s）的连接器第5部分:带刀片触点的矩形多极连接器

KS C IEC 60130-7-2003(2008)频率低于3mhz（Mc/s）的连接器第7部分:卡口或推拉耦合圆形多极连接器

KS C IEC 60747-7-2-2006(2016)半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第2节:低频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范

KS C IEC 60747-7-2-2006(2021)半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第二节:低频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范

KS C IEC 60130-6-2003(2008)频率低于3MHz（Mc/s）的连接器第6部分:带叶片触点的矩形微型多极连接器

KS C IEC 60130-7:2003频率低于3MHz(Mc/s)的连接器.第7部分:卡口连接或推拉连接的多极圆形连接器

KS C IEC 60130-7:2014频率低于3MHz（Mc/s）的连接器 第7部分：卡口连接或推拉连接的多极圆形连接器

KS C IEC 60747-7-2:2006半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管.第2节:低频放大用的额定环境双极性晶体管的空白详细规范

KS C IEC 60747-7-1:2006半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管.第1节:低频和高频放大用的额定环境晶体管的空白详细规范

KS C IEC 60189-2-2014(2019)低频电缆和电线用聚氯乙烯绝缘和聚氯乙烯护套 - 第2部分:电缆成对 三倍 四边和五倍内部安装

KS C IEC 62489-2-2017(2022)电声学.辅助听力用音频感应环路系统.第2部分:计算和测量环路低频磁场发射的方法 以评估人体暴露限值的符合性

KS C IEC 60189-2:2014聚氯乙烯(PVC)绝缘材料和聚氯乙烯(PVC)护套的低频电缆.第2部分:内部装置用双芯、三芯、四芯和五芯电缆

丹麦标准化协会，关于四极场低频的标准

DS/ENV 50166-1:1995人体处于低频电磁场（0 Hz至10 kHz）中

DS/EN 62226-1:2005暴露于低频和中频范围内的电场或磁场 人体感应电流密度和内部电场的计算方法 第1部分：总则

DS/EN 62226-2-1:2005暴露于低频和中频范围内的电场或磁场 人体感应电流密度和内部电场的计算方法 第 2-1 部分：暴露于磁场 2D 模型

DS/EN 62226-3-1:2008暴露于低频和中频范围内的电场或磁场 人体感应电流密度和内部电场的计算方法 第 3-1 部分：暴露于电场 分析和二维数值 m

DS/IEC/TR 61000-2-7:1998电磁兼容性（EMC） 第2部分：环境 第 7 节：各种环境中的低频磁场

DS/IEC 747-7-2:1990半导体器件.分立器件.第7部分:双极性晶体管.第2节:低频放大用的额定环境双极性晶体管的空白详细规范

DS/IEC 747-7-1:1990半导体器件.分立器件.第7部分:双极性晶体管.第1节:低频和高频放大用的额定环境晶体管的空白详细规范

DS/EN 62489-2:2011电声学 辅助听力的音频感应环路系统 第2部分：计算和测量环路低频磁场发射的方法，以评估是否符合人体暴露限值指南

RU-GOST R，关于四极场低频的标准

GOST 18604.20-1978双极型晶体管.低频噪声系数的测量方法

GOST 16526-1970农业筑路用自行轮式机械.现场低频振动.试验方法

GOST 30377-1995技术工具的电磁兼容性.低频周期的磁场的参数规范

GOST R 50010-1992技术设备的电磁兼容性.电力设备.低频周期性电磁场范围

GOST R 50012-1992工业设备电磁兼容性.电工技术动力设备.低频周期性电磁场参数测量方法

GOST 19438.1-1974连续耗散阳极功率在25W以内的收讯－放大与振荡管.低频放大不对称与放大动态系数的测定方法

英国标准学会，关于四极场低频的标准

BS EN 62226-1:2005曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.总则

BS EN 62226-2-1:2005处于低频和中频电场或磁场.人体内感应产生的电流密度和内电场的计算方法.处于磁场中.2维模型

BS IEC 61000-2-7:1998电磁兼容性(EMC).环境.各种环境下的低频磁场

BS EN 62226-3-1:2007暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.暴露于磁场.分析和二维数字模型

BS EN 62226-3-1:2007+A1:2017暴露于低频和中频范围内的电场或磁场 计算人体感应电流密度和内部电场的方法 暴露于电场 分析和二维数值……

BS EN IEC 62764-1:2022跟踪更改 汽车环境中电子电气设备产生的磁场水平相对于人体暴露的测量程序 低频磁场

BS E9372:1976电子元器件用质量评估协调体系规范.空白详细规范.低频与高频放大用额定周围环境的双极晶体管

21/30436665 DCBS EN 62764-1 汽车环境中电子电气设备产生的磁场水平相对于人体暴露的测量程序 第1部分：低频磁场

BS EN 50364:2010人体暴露于0 Hz-300 GHz频率范围工作的电子物质监视(EAS)、射频识别(RFID)和类似用途设备所产生的电磁场中的极限值

BS EN 50364:2002人体暴露于0Hz-10GHz频率范围工作的电子物质监视(EAS)、射频识别(RFID)和类似用途的设备所产生的电磁场中的极限值

BS EN 62489-2:2011电声学.助听用音频感应环系统.用于评估人体照射限值指南符合性的,环发射低频磁场的计算和测量方法

BS EN 62489-2:2014电声学.助听用音频感应环系统.用于评估人体照射限值指南符合性的,环发射低频磁场的计算和测量方法

BS IEC 61000-3-8:1997电磁兼容性.第3部分:极限.第8节:低压电气设备信号传输指南.辐射级、频带和电磁干扰级别

BS IEC 61000-3-8:1998电磁兼容性.第3部分:极限.第8节:低压电气设备信号传输指南.辐射级、频带和电磁干扰级别

国家质检总局，关于四极场低频的标准

GB/Z 18039.6-2005电磁兼容环境 各种环境中的低频磁场

GB/T 30140-2013磁性材料在低频磁场中屏蔽效能的测量方法

GB/T 7577-1996低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范

GB/T 7576-1998半导体器件分立器件第7部分;双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

GB/T 6217-1998半导体器件分立器件第7部分;双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范

GB 9520-1988电子元器件详细规范3DD200型硅NPN低频放大用管壳额定双极型晶体管(可供认证用)

美国电气电子工程师学会，关于四极场低频的标准

IEEE Std 433-2009IEEE 绝缘测试推荐规程 极低频高压交流电机

IEEE Unapproved Draft Std P433/D16 Oct 2009极低频高压交流电机绝缘测试推荐规程草案

IEEE Std 400.2-2013 - RedlineIEEE 使用甚低频 (VLF)（低于 1 Hz）的屏蔽电力电缆系统现场测试指南 红线

IEEE P400.2/D6, July 2023使用甚低频 (VLF)（低于 1 Hz）的屏蔽电力电缆系统现场测试的 IEEE 指南草案

IEEE 400.2-2004使用超低频(VLF)的屏蔽电力电缆系统的现场试验指南

IEEE Std 400.2-2004使用甚低频（VLF）的屏蔽电力电缆系统现场测试的 IEEE 指南

IEEE 433-2022IEEE 在极低频率下额定电压高达 30 kV 的交流电机绝缘测试推荐规程

IEEE Std 302-1969测量无线电波传播中频率低于 1000 MHz 的电磁场强度的 IEEE 标准方法

SMPTE RP 6:1994RP 6:1994 SMPTE 推荐做法 用于 525 线/60 场电视系统的 2 英寸四路视频磁带记录的记录载波频率和预加重特性

IEEE Std 400.2-2013使用甚低频（VLF）（小于 1 Hz）的屏蔽电力电缆系统现场测试的 IEEE 指南 Redline

IEEE P400.2/D13 August 2012使用甚低频（VLF）（小于 1 Hz）的屏蔽电力电缆系统现场测试的 IEEE 草案指南

IEEE P400.2/D12 January 2012使用甚低频（VLF）（小于 1 Hz）的屏蔽电力电缆系统现场测试的 IEEE 草案指南

IEEE P433/D9, December 2021IEEE 批准的极低频率下额定电压高达 30 kV 的交流电机绝缘测试推荐规程草案

IEEE P433/D7, June 2020IEEE 草案在极低频率下对额定电压高达 30 kV 的交流电机进行绝缘测试的推荐规程

IEEE P433/D8, October 2021IEEE 草案在极低频率下对额定电压高达 30 kV 的交流电机进行绝缘测试的推荐规程

IEEE Std P433/D11 2006未经批准的 IEEE 草案，用于在极低频率下进行高压交流电机的绝缘测试推荐规程（IEEE 433-1974 修订版）

美国材料与试验协会，关于四极场低频的标准

ASTM G57-06用温纳四电极法现场测量泥土电阻率的标准试验方法

AT-ON，关于四极场低频的标准

ONORM S 1119-1994低频电场和磁场．频率范围为0赫兹到30千赫的个人保护的接触容许限度

法国标准化协会，关于四极场低频的标准

NF EN 62226-1:2005暴露于低频和中频电场或磁场 计算人体感应电流密度和感应电场的方法 第1部分：概述

NF EN 62226-3-1/A1:2017暴露于低频和中频电场或磁场 - 计算人体感应电流密度和感应电场的方法 - 第 3-1 部分：暴露于电场 - 模型...

NF EN 62226-3-1:2008暴露于低频和中频电场或磁场 - 计算人体感应电流密度和感应电场的方法 - 第 3-1 部分：暴露于电场 - 模型...

NF EN 62226-2-1:2005暴露于低频和中频电场或磁场 - 计算人体感应电流密度和感应电场的方法 - 第 2-1 部分：暴露于磁场 - 模型...

NF C99-115-1*NF EN 62226-1:2005曝露于低频和中频电场或磁场 人体内感应的电流密度和内电场的计算方法 第1部分：总则

NF C99-115-2-1*NF EN 62226-2-1:2005处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.2维模型

NF C99-115-3-1*NF EN 62226-3-1:2008暴露于低频和中频电场或磁场 计算人体内电流密度和内部电场感应的方法 第3-1部分：暴露于电场 分析和二维数字模式

NF C99-115-3-1/A1*NF EN 62226-3-1/A1:2017暴露于低频和中频范围内的电场或磁场 人体感应电流密度和内部电场的计算方法 第 3-1 部分：暴露于电场 解析和二维数值

NF S31-016-2:2011电声学:辅助听力所用音频电磁感应圈系统.第2部分:为评估电磁感应圈产生的低频磁场是否符合人类在磁场中暴露极限指南的要求所用的计算和测量方法.

NF S31-016-2*NF EN 62489-2:2014电声学:辅助听力所用音频电磁感应圈系统.第2部分:为评估电磁感应圈产生的低频磁场是否符合人类在磁场中暴露极限指南的要求所用的计算和测量方法.

NF EN IEC 62764-1:2022测量人体暴露于汽车环境中电子电气配件产生的磁场水平的程序 第1部分：低频磁场

FD X07-025-2:2015计量学 测量设备计量验证的*低技术程序 第2部分：电-磁和时频场

NF C86-613:1981电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.特定外壳温度低频双极晶体管

NF C86-614:1981电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.特定外壳温度的低频双极晶体管

NF EN 62489-2:2014电声学 - 用于改善听力的音频感应环路系统 - 第 2 部分：计算和测量用于评估听力水平的环路低频磁场发射的方法

德国标准化学会，关于四极场低频的标准

DIN EN 62226-1:2005曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第1部分:总则

DIN EN 62226-2-1:2005处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.二维模型

DIN EN 62226-3-1:2008暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第3-1部分:暴露于电场.分析和二维数字模型

DIN EN 62489-2:2011电声学.辅助听力音频感应环路系统.第2部分:评估人体照射与指南一致的环路低频磁场放射的计算和测量方法

澳大利亚标准协会，关于四极场低频的标准

AS/NZS IEC/TR 61000.2.7:2009电磁兼容性 (EMC) 环境 各种环境中的低频磁场

AS/NZS IEC 62226.1:2021暴露于低频和中频范围内的电场或磁场 计算人体感应电流密度和内部电场的方法 第 1 部分：概述

AS/NZS IEC 62226.2.1:2021暴露于低频和中频范围内的电场或磁场 计算人体感应电流密度和内部电场的方法 第 2.1 部分：暴露于磁场 2D 模型

国际电工委员会，关于四极场低频的标准

IEC 62226-2-1:2004处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.2维模型

IEC 61786:1998关于人体暴露的低频电场和磁场的测量 仪表的特殊要求和测量指南

IEC 60747-7-1:1989半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第1节:低频和高频放大环境额定双极晶体管空白详细规范

IEC 62226-3-1:2007暴露于低频和中频范围内电场或磁场.计算人体内电流密度和内部电场感应的方法.第3-1部分:暴露于电场.分析和二维数字模型

IEC 62226-3-1:2007/AMD1:2016暴露于低电压和中电压下的电场或磁场频率范围.电流密度和频率的计算方法人体内感应的内部电场.第3-1部分:电场暴露.分析和2D数值模型

IEC 62226-3-1:2007+AMD1:2016 CSV暴露于低电压和中电压下的电场或磁场频率范围.电流密度和频率的计算方法人体内感应的内部电场.第3-1部分:电场暴露.分析和2D数值模型

IEC TR 61000-2-7:1998电磁兼容性(EMC).第2部分:环境.第7节:在各种环境下的低频磁场

IEC 60747-7-2:1989半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第2节:低频放大外壳额定双极晶体管空白详细规范

IEC 62764-1:2022汽车环境中电子和电气设备产生的与人体暴露有关的磁场水平的测量程序.第1部分:低频磁场

IEC 60189-2:1981聚氯乙烯绝缘和聚氯乙烯护套的低频电缆和电线 第2部分:内部安装用双芯、三芯、四芯和五芯电缆

IEC 60189-2:2007聚氯乙烯(PVC)绝缘和聚氯乙烯(PVC)护套的低频电缆和电线.第2部分:内部安装用双芯、三芯、四芯和五芯电缆

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于四极场低频的标准

IEEE 433-1974极低频率高压交流旋转机械绝缘试验推荐规程

IEEE 302-1969无线电波传播中频率低于 1000 MHz 的电磁场强度测量标准方法

欧洲电工标准化委员会，关于四极场低频的标准

EN 62226-1:2005暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第1部分:总则 IEC 62226-1:2004

EN 62226-2-1:2005暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第2-1部分:暴露于磁场.二维模型 IEC 62226-2-1:2004

EN 62226-3-1:2007暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第3-1部分:暴露于电场.分析和二维数字模型

EN IEC 62764-1:2022汽车环境中电子和电气设备产生的人体暴露磁场水平的测量程序 第1部分：低频磁场

ES-UNE，关于四极场低频的标准

UNE-EN 62226-1:2005暴露于低频和中频范围内的电场或磁场 计算人体感应电流密度和内部电场的方法 第1部分：概述

UNE-EN 62226-2-1:2005暴露于低频和中频范围内的电场或磁场 计算人体感应电流密度和内部电场的方法 第2-1部分：暴露于磁场 2D 模型

UNE-EN 62226-3-1:2007暴露于低频和中频范围内的电场或磁场 计算人体感应电流密度和内部电场的方法 第3-1部分：暴露于电场 分析和二维数值

UNE-EN IEC 62764-1:2022汽车环境中电子电气设备产生的人体暴露磁场水平的测量程序 第1部分：低频磁场

PL-PKN，关于四极场低频的标准

PN T01207-01-1992半导体器件．分离器件，双极晶体管低频和高频放大箱环境额定双极晶体管空白细节规格

PN T01210-01-1992半导体器件．分离器件．双极晶体管．低频放大箱额定的双极晶体管空白细节规格

美国国家标准学会，关于四极场低频的标准

ANSI/IEEE 400.2:2013使用超低频(VLF)(低于1 Hz)的屏蔽电力电缆系统的现场试验指南

ANSI/IEEE 400.2:2004使用超低频(VLF)的屏蔽电力电缆系统的现场试验指南

印度尼西亚标准，关于四极场低频的标准

SNI IEC 61786:2011人体暴露的低频电场和磁场的测量 仪器和测量指南的特殊要求

国家*用标准-总装备部，关于四极场低频的标准

GJB/Z 70-1995甚低频（VLF）无线电系统电波场强与相位计算方法

GJB 973/5-2021SFLF46-50-4-53 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范

GJB 973/3-2021SFLF46-50-3-52 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范

GJB 973/7-2021SFLF46-50-6-53 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范

GJB 973/2-2021SFLF46-50-3-51 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范

GJB 973/8-2021SFLF46-50-8-51型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范

GJB 973/4-2021SFLF46-50-4-52 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范

GJB 973/6-2021SFLF46-50-4-54 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范

GJB 973/1-2021SFLF46-50-2-51型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范

CU-NC，关于四极场低频的标准

NC 66-23-1984电子线路．大功率和低频双极性晶体管2N 3055．质量规范

NC 66-15-1987电子和电气技术词汇．低频和双极功率晶体管．质量规范

NC 66-94-1987电工和电工技术工业．低频率和大功率双极晶体管．质量规格

NC 66-93-1987电工和电工技术工业．低频率和中等功率双极晶体管．质量规格

NC 66-20-1984电子线路．大功率和低频双极性晶体管BD 175；BD 176；BD 177和BD 178．质量规范

NC 66-22-1984电子线路．大功率和低频双极性晶体管BD 705； BD 707；BD 708；BD 709；y BD 710．质量规范

NC 66-24-1984电子线路．大功率和低频双极性晶体管BD 533；BD 534；BD 535；BD 536；BD537；BD 538质量规范

NC 66-21-1984电子线路．大功率和低频双极性晶体管 BD 233； BD 234；BD 235；BD 236；BD 237 y BD 238．质量规范

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于四极场低频的标准

EN 150003:1991空白详细规范：用于低频放大的外壳额定双极晶体管

日本工业标准调查会，关于四极场低频的标准

JIS C 1910:2004关于人体暴露的低频磁场和电场的测量.仪表的特殊要求和测量指南

立陶宛标准局，关于四极场低频的标准

LST EN 62226-1-2005暴露在低频和中频范围内的电场或磁场中 人体感应电流密度和内部电场的计算方法 第1部分：总则（IEC 62226-1:2004）

LST EN 62226-3-1-2008暴露于低频和中频范围内的电场或磁场 人体感应电流密度和内部电场的计算方法 第 3-1 部分：暴露于电场 分析和二维数值 m

LST EN 62226-2-1-2005暴露在低频和中频范围内的电场或磁场中 人体感应电流密度和内部电场的计算方法 第 2-1 部分：暴露于磁场 二维模型（IEC 62226-2-1:2004）

LST EN 62489-2-2011电声学 辅助听力的音频感应环路系统 第2部分：计算和测量环路低频磁场发射的方法，以评估是否符合人体暴露限制指南（

美国国防部标准化文件（含MIL标准），关于四极场低频的标准

DOD MIL-STD-1582 D ADMIN NOTICE 1-2004极高频(EHF)低数据率(LDR)卫星数据链路标准(SDLS)上行和下行(U)

DOD MIL-STD-1582 D VALID NOTICE 2-2013极高频（EHF）低数据速率（LDR）卫星数据链路标准（SDLS）上行链路和下行链路（U）

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于四极场低频的标准

QC 750103/ CN 0001-1992低频放大型 3DD870 型外壳额定双极晶体管电子元件详细规范

QC 750102-1989半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第一部分 用于低频和高频放大的环境额定双极晶体管的空白详细规范（IEC 747-7-1 ED 1）

QC 750103-1989半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第二部分 用于低频放大的外壳额定双极晶体管的空白详细规范（IEC 747-7-2 ED 1）

美国电影与电视工程师协会，关于四极场低频的标准

SMPTE RP 6-1994用于 525 线/60 场电视系统的 2 英寸四重视频磁带记录的记录载波频率和预加重特性

TH-TISI，关于四极场低频的标准

TIS 1865-1999半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第 1 节：用于低频和高频放大的环境额定双极晶体管的空白详细规范

TIS 1866-1999半导体器件-分立器件第7部分：双极晶体管第 2 节：用于低频放大的外壳额定双极晶体管的空白详细规范

中国团体标准，关于四极场低频的标准

T/CEC 243-201910（6）kV～35kV挤包绝缘电力电缆系统超低频（0.1Hz）现场试验方法

AENOR，关于四极场低频的标准

UNE 21000-2-7:2002 IN电磁兼容性（EMC） 第2部分：环境 第 7 节：各种环境中的低频磁场

UNE 212002-2:2014聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套低频电缆、电线 第2部分：内部安装用成对、三芯、四芯和五芯电缆

ZA-SANS，关于四极场低频的标准

SANS 62226-1:2006暴露于低中频范围的电场或磁场中.在人体内诱导出的电流密度及内部电场的计算方法.第1部分:概述

SANS 61000-2-7:1998电磁兼容性（EMC）．第2部分：环境部分．第7节：在各种环境下的低频磁场

SANS 62226-2-1:2006暴露于低中频范围的电场或磁场中.在人体内诱导出的电流密度及内部电场的计算方法.第2-1部分:暴露于磁场中.二维模型

加拿大标准协会，关于四极场低频的标准

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