半结晶峰温度检测报告如何办理？检测项目及标准有哪些？百检第三方检测机构，严格按照半结晶峰温度检测相关标准进行测试和评估。做检测，找百检。我们只做真实检测。

涉及半结晶峰温度的标准有116条。

国际标准分类中，半结晶峰温度涉及到塑料、钢铁产品、有色金属、有机化学、金属材料试验、化工产品、肥料、半导体分立器件、电子电信设备用机电元件、热力学和温度测量、绝缘材料、燃料、太阳能工程、电学、磁学、电和磁的测量。

在中国标准分类中，半结晶峰温度涉及到半金属及半导体材料分析方法、金属物理性能试验方法、稀有高熔点金属及其合金、有机化工原料综合、半导体分立器件综合、化学试剂综合、敏感元器件及传感器、半导体三极管、热学计量、电工绝缘材料及其制品、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、太阳能、合成树脂、塑料、半导体分立器件、基础标准和通用方法。

PL-PKN，关于半结晶峰温度的标准

PN C89425-1992塑料．半结晶高分子融化温度的测定

PN C45301-08-1993己内酰胺试验方法．结晶温度的测定

国际标准化组织，关于半结晶峰温度的标准

ISO 3146:1974塑料 半结晶聚合物熔融温度的测定 光学法

ISO 23381:2020液体肥料盐析（结晶）温度的测定

ISO 7060:1982工业用己内酰胺 结晶温度的测定

ISO 3146:2022塑料.用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）

ISO 3146:1985塑料.半晶状聚合物的熔化性能的测定(熔化温度或熔化区域)

ISO 11357-3:2011塑料.差示扫描量热法(DSC).第3部分:熔化和结晶焓和温度的测定

ISO 11357-3:1999塑料 差示扫描量热法(DSC) 第3部分:熔化和结晶焓和温度的测定

ISO 11357-3:2018塑料.差示扫描量热法(DSC).第3部分:熔化和结晶焓和温度的测定

ISO 3146:2000塑料 用毛细管和偏振显微镜测定半晶状聚合物的熔化性能(熔化温度或熔化区域)

ISO 11357-3:1999/Amd 1:2005塑料.差示扫描量热法(DSC).第3部分:熔化和结晶的温度和焓的测定.修改件1

TR-TSE，关于半结晶峰温度的标准

TS 2249-1976塑料．半结晶聚合物融化温度的测定．光学方法

CZ-CSN，关于半结晶峰温度的标准

CSN 65 0311-1981结晶温度测定的方法

CSN ISO 3146:1992塑料．半晶质聚合体的熔化性（熔化温度或熔化范围）的测定

韩国科技标准局，关于半结晶峰温度的标准

KS D 0069-2002非晶金属结晶化温度测定方法

KS D 0069-2002(2022)非晶态金属结晶温度的测定方法

KS D 0069-2002(2017)确定非晶态金属的结晶温度的方法

KS M 1801-1982工业用己内酰胺结晶温度及290㎚吸水率测定法

KS M 1801-2017(2022)工业己内酰胺290nm结晶温度和吸水率测定方法

KS M 1801-2017工业己内酰胺290nm结晶温度和吸水率的测定方法

KS M ISO 3146-2012(2017)塑料－用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融范围）

KS M ISO 3146-2012(2022)塑料－用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）

KS M ISO 11357-3:2018塑料 - 差示扫描量热法（DSC） - 第3部分:测定温度和熔融和结晶焓

KS M ISO 11357-3:2013塑料.级差扫描量热术(DSC).第3部分:熔化和结晶焓和温度的测定

KS M ISO 11357-3:2003塑料.级差扫描量热术(DSC).第3部分:熔化和结晶焓和温度的测定

KS C IEC 61074-2002(2012)用差示扫描量热法测定电绝缘材料熔化和结晶的热量和温度

KS C IEC 61074:2002用差示扫描量热法(DSC)对电气绝缘材料的结晶、熔化温度和热量测定

KS M ISO 3146:2012塑料.用毛细管和偏振显微镜测定半晶状聚合物的熔化性能(熔化温度或熔化区域)

日本工业标准调查会，关于半结晶峰温度的标准

JIS H 7151:1991非晶体金属的结晶温度测定方法

JIS C 8916:1989结晶系太阳能电池组件的电压、电流的温度系数测定方法

丹麦标准化协会，关于半结晶峰温度的标准

DS/ISO 1392:1986结晶温度的测定．通用方法

DS/EN ISO 3146/AC:2003塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）

DS/EN ISO 3146:2000塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）

DS/EN 62373:2006金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试

DS/EN ISO 11357-3:2013塑料 差示扫描量热法（DSC） 第3部分：熔化和结晶温度和焓的测定

DS/EN 61074:1994利用差示扫描量热法测定电绝缘材料熔融和结晶的热能和温度

CU-NC，关于半结晶峰温度的标准

NC 33-67-1987石油工业．发动机燃料的发热温度．结晶点和结晶

SE-SIS，关于半结晶峰温度的标准

SIS SS-ISO 3146:1987塑料．半结晶聚合物熔融行为的测定（熔融温度或熔融范围）

RU-GOST R，关于半结晶峰温度的标准

GOST 26743.2-1991已内酰胺.结晶化温度测定法

GOST 18995.5-1973有机化学产品.结晶温度测定法

GOST 5066-1991(ИСО 3013-74)发动机燃料.浊点温度及结晶起始点的测定法

GOST 28976-1991硅晶体光电仪.伏安特性测量结果的温度与辐射度的修正方法

GOST R 56724-2015塑料. 差示扫描量热法 (DSC). 第3部分. 溶触和结晶温度及热焓的测定

法国标准化协会，关于半结晶峰温度的标准

NF U42-681:2020液体肥料盐析(结晶)温度的测定

NF ISO 23381:2020液体肥料解溶（结晶）温度的测定

NF EN ISO 3146:2022塑料.用毛细管和偏光显微镜方法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融温度范围）

NF C96-051*NF EN 62373:2006金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验

NF T51-621*NF EN ISO 3146:2022塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）

NF T51-621:1997塑料.半晶状聚合物的熔化性能的测定(熔化温度或熔化区域)

NF EN 62373:2006金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试

NF T51-507-3:2013塑料.差示扫描量热法(DSC).第3部分:温度、熔化焓和结晶焓的测定

NF C26-214:1993用差式扫描量热法测定电绝缘材料溶化和结晶的热力和温度

NF EN ISO 11357-3:2018塑料 分析热差(DSC)第3部分：温度和熔化热函及结晶热函的测定

NF T51-507-3*NF EN ISO 11357-3:2018塑料 差示扫描量热法（DSC） 第3部分：熔化和结晶的温度和焓的测定

NF T51-621:2000塑料制品.用毛细管和偏光显微镜测定半晶体聚合物的熔化特性(熔化温度或熔化范围)

国家质检总局，关于半结晶峰温度的标准

GB/T 4106-1983钨丝二次再结晶温度测量方法

GB/T 19466.3-2004塑料差示扫描量热法(DSC)第3部分;熔融和结晶温度及热焓的测定

行业标准-有色金属，关于半结晶峰温度的标准

YS/T 516-2012钨丝二次再结晶温度测量方法

YS/T 516-2006钨丝二次再结晶温度测量方法

英国标准学会，关于半结晶峰温度的标准

BS ISO 23381:2020液体肥料盐析（结晶）温度的测定

BS IEC 60747-14-5:2010半导体器件.半导体传感器.PN-结点半导体温度传感器

20/30379723 DCBS ISO 23381.液体肥料盐析（结晶）温度的测定

BS EN 62047-9:2011半导体装置.微电子机械装置.MEMS的晶圆与晶圆结合强度测量

BS EN 62047-9:2013半导体装置 微电子机械装置 MEMS的晶圆与晶圆结合强度测量

BS EN 62373:2006金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

BS EN ISO 11357-3:2013塑料.差示扫描量热法(DSC).熔化焓、结晶焓和温度的测定

21/30427377 DCBS EN ISO 3146 塑料 通过毛细管和偏光显微镜方法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融范围）

BS EN ISO 3146:2022跟踪更改 塑料 通过毛细管和偏光显微镜方法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融范围）

BS IEC 62373-1:2020半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试

BS EN ISO 11357-3:2018跟踪更改 塑料 差示扫描量热法（DSC） 熔化和结晶温度和焓的测定

BS IEC 63275-1:2022半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法

17/30366375 DCBS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法

18/30381548 DCBS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法

BS EN ISO 3146:2000塑料.用毛细管和偏振显微镜法测定半晶状聚合物的熔化性能(熔化温度或熔化区域)

GOSTR，关于半结晶峰温度的标准

GOST R 57931-2017复合材料 通过热分析测定熔化和结晶温度

GOST 5066-2018(ИСО 3013-74)发动机燃料 浊点温度及结晶起始点的测定法

国际电工委员会，关于半结晶峰温度的标准

IEC 60747-14-5:2010半导体器件.第14-5部分:半导体传感器.PN-结点半导体温度传感器

IEC 62373-1:2020半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验

IEC TR 61074:1991用差示扫描量热法对电气绝缘材料的结晶、熔化温度和热量的测定

IEC 63275-1:2022半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法

HU-MSZT，关于半结晶峰温度的标准

MSZ 11707-1969发动机打浆机物质干扰点和结晶温度的原含量

工业和信息化部，关于半结晶峰温度的标准

YS/T 1258-2018有色金属材料熔融和结晶温度试验 热分析方法

德国标准化学会，关于半结晶峰温度的标准

DIN EN 62373:2007金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

DIN EN 62373:2007-01金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试

DIN EN ISO 3146:2022-06塑料 通过毛细管和偏光显微镜方法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融范围）

DIN EN ISO 3146:2021塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）（ISO/DIS 3146:2021）

DIN EN 61074:1994用差示扫描量热法测定电气绝缘材料的结晶、熔化温度和热量

DIN EN ISO 11357-3:2018-07塑料 差示扫描量热法(DSC)第3部分：熔融和结晶温度和热函的测定

DIN EN ISO 11357-3:2018塑料 差示扫描量热法（DSC） 第3部分：熔化和结晶温度和焓的测定（ISO 11357-3:2018）

美国材料与试验协会，关于半结晶峰温度的标准

ASTM E794-06用热分析法测定熔化和结晶温度的标准试验方法

ASTM E794-01用热分析法测定熔化和结晶温度的标准试验方法

ASTM E794-98用热分析法测定熔化和结晶温度的标准试验方法

ASTM E794-06(2018)用热分析法测定熔化和结晶温度的标准试验方法

ASTM E794-06(2012)用热分析法测定熔化和结晶温度的标准试验方法

行业标准-机械，关于半结晶峰温度的标准

JB/T 8630-1997用差示扫描量热法测定电气绝缘材料的熔融热、熔点及结晶热、结晶温度的试验方法

ES-UNE，关于半结晶峰温度的标准

UNE-EN 62373:2006金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试

UNE-EN ISO 3146:2022塑料 通过毛细管和偏光显微镜方法测定半结晶聚合物的熔融行为（熔融温度或熔融范围）

UNE-EN ISO 11357-3:2018塑料 差示扫描量热法(DSC)第3部分：熔融和结晶温度和热函的测定

UNE-EN 61074:1993通过差示扫描量热法测定电绝缘材料的熔化和结晶的热量和温度

IN-BIS，关于半结晶峰温度的标准

IS 13360 Pt.6/Sec.10-1992塑料——测试方法 第6部分热性能 第10节：半结晶聚合物熔化行为（熔化温度或熔化范围）的测定

AENOR，关于半结晶峰温度的标准

UNE-EN ISO 3146:2001塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）（ISO 3146:2000）

UNE-EN ISO 11357-3:2013塑料 差示扫描量热法（DSC） 第3部分：熔化和结晶温度和焓的测定（ISO 11357-3:2011）

立陶宛标准局，关于半结晶峰温度的标准

LST EN ISO 3146:2002塑料 用毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）（ISO 3146:2000）

LST EN 62373-2006金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）

LST EN ISO 3146:2002/AC:2004塑料 通过毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）（ISO 3146:2000/Cor.1:2002）

欧洲电工标准化委员会，关于半结晶峰温度的标准

EN 62373:2006金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006

EN 61074:1993用差示扫描量热法测定电气绝缘材料熔融及结晶的热量和温度(IEC 1074-1991)

欧洲标准化委员会，关于半结晶峰温度的标准

prEN ISO 3146:2021塑料 通过毛细管和偏光显微镜法测定半结晶聚合物的熔化行为（熔化温度或熔化范围）（ISO/DIS 3146:2021）

EN ISO 11357-3:2018塑料 差示扫描量热法(DSC) 第3部分:熔化和结晶焓和温度的测定

EN ISO 11357-3:2013塑料 差示扫描量热法(DSC) 第3部分:熔化和结晶焓和温度的测定

prEN 61074-1992用差示扫描量热法对电绝缘材料的结晶和熔化温度和热量的测定

EN ISO 3146:1997塑料.用毛细管和偏振显微镜法测定半晶状聚合物的熔化性能(熔化温度或熔化区域)

EN ISO 3146:2022塑料.用毛细管和偏振显微镜法测定半晶状聚合物的熔化性能(熔化温度或熔化区域)

KR-KS，关于半结晶峰温度的标准

KS M ISO 11357-3-2018塑料 - 差示扫描量热法（DSC） - 第3部分:测定温度和熔融和结晶焓

PH-BPS，关于半结晶峰温度的标准

PNS IEC 62373-1:2021半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验

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