标准简介：本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。

标准号：GB/T 6616-1995

标准名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法

英文名称：Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1995-04-18

实施日期：1995-01-02

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：29.040.30

替代以下标准：替代GB 6616-1986;被GB/T 6616-2009代替

起草单位：电子部标准化所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局

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