标准简介：本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×10����16�� atoms/cm��3～2.5×10����21�� atoms/cm��3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50 nm及以上。

标准号：GB/T 32495-2016

标准名称：表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法

英文名称：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2016-02-24

实施日期：2017-01-01

中国标准分类号（CCS）：化工>>化工综合>>G04基础标准与通用方法

国际标准分类号（ICS）：化工技术>>分析化学>>71.040.40化学分析

起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所

归口单位：全国微束标准化技术委员会(SAC/TC 38)

发布单位：国家质量监督检验检疫.

检测流程

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