标准简介：在晶体中，由于缺陷处的势能较高，在缺陷处的腐蚀速率较大，在适当的腐蚀剂中，当缺陷处的腐蚀速率远高于完整晶面的腐蚀速率时，在缺陷处就会形成位错蚀坑和其他斑痕，在金相显微镜下可以观测多种缺陷。

标准号：GB 11297.6-1989

标准名称：锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法

英文名称：Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal

标准类型：国家标准

标准性质：强制性

标准状态：现行

发布日期：1988-10-09

实施日期：1990-01-01

中国标准分类号（CCS）：电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料

国际标准分类号（ICS）：29.040.30

起草单位：机械电子工业部第十一研究所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：机械电子工业部

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